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P-RAM, Phase change Memory
P램(피-램, 상변화 메모리)는 비휘발성 메모리의 한 종류로서, D램과 달리 전원이 없어도 데이터가 사라지지 않으며, 플래쉬메모리에 비해서 속도가 빨라 차세대 비휘발성 메모리로서 기대를 받고 있는 제품이다. 용어의 특성상 P-RAM 혹은 PCRAM, C-RAM으로 불리운다.
P램은 일반적으로 열, 혹은 전기적인 변화를 가해서 반도체의 상태를 비정질상태와 결정질상태로 변화시키는 칼코게나이드 유리(Chalcogenide glass) 재질의 독특한 특성을 이용하여 데이터를 저장한다. 비정질 상태인가 결정질 상태인가를 통해 0과 1을 스위칭하여 데이터를 구분하는 방식으로 이뤄져 있으며, 이러한 방식이기 때문에 D램과 다르게 상시적으로 전류를 흘리지 않아도 되기 때문에 상시적인 캐파시터에 의한 누설전류가 없고, 상변화가 일어난 이후에는 전원을 끄더라도 데이터가 휘발되지 않고 그 상태 그대로 저장된다.
P램을 구성하는 소자에는 게르마늄 안티몬 텔룰라이드(GST; Ge2Sb2Te5)이라는 소재가 사용되는데, 이 소재는 Ge(게르마늄), Sb(안티모니), Te(텔루늄)을 결합해서 생성한 물질이다.
위의 특성 덕택에 P램은 플래쉬에 비해서도 소모 전력은 적고, 속도는 빠르면서 비휘발성의 특성을 가지는 메모리로서 차세대 플래쉬메모리를 노리는 반도체 산업으로 기대를 받고있다.
P램을 이끄는 주요 업체는 삼성 반도체로, 생산은 이미 2006년부터 상용생산이 가능했으나 가격이나 기타 문제로 인해 지연에 지연을 반복하다가 2010년에 이르러 512Mbit 모듈을 양산시작하였다.
